DB하이텍(000990), 8인치 풀가동 넘어 SiC·GaN까지…전력반도체 성장축 확대

1. 분석 요약

DB하이텍은 8인치 웨이퍼 기반의 특화 파운드리 기업으로 BCDMOS·전력반도체·CIS·Mixed-Signal 등을 주력으로 한다. 2026년에는 AI 데이터센터, 로봇, 자동차·산업용 반도체 수요 확대와 가격 인상 효과가 맞물리며 실적 성장세가 뚜렷해지고 있다. 2분기 연결 매출은 4,145억원, 영업이익은 1,052억원으로 전년 동기 대비 각각 23%, 43% 증가했다. 고부가 응용처 비중 확대에 따른 제품 믹스 개선이 수익성을 끌어올렸다.

2026년 컨센서스 기준 PER은 10.03배, PBR은 1.48배, 12개월 Forward PER은 9.26배, PBR은 1.34배 수준이다. 예상 배당수익률은 1.49%, Forward 배당수익률은 1.62%다. 상반기 기준 매출은 21.9%, 영업이익은 36.2%, 순이익은 84.8% 증가했다.

2. 사업 구조 및 핵심 제품·서비스

핵심 사업은 팹리스가 설계한 반도체를 위탁 생산하는 파운드리다. 첨단 미세공정보다는 전력관리반도체와 아날로그·센서 등 특화 공정에 집중한다는 점에서 선단공정 파운드리와 사업 성격이 다르다. 주력 BCD 공정은 누적 웨이퍼 출하량 900만장을 넘어섰으며 자동차와 산업용 등 고부가 시장으로 적용처를 확대하고 있다.

제품군도 BCDMOS, Analog CMOS, CIS, Mixed-Signal/RF, SJ MOSFET에서 SiC와 GaN까지 확대되고 있다. 특히 전력반도체는 AI 데이터센터의 전력변환·관리, 로봇, 전기차와 산업장비 등 전력 사용량이 증가하는 산업 전반에서 활용되는 만큼 중장기적으로 안정적인 수요 기반을 확보할 가능성이 있다.

3. 성장 동력 및 중장기 전략

첫 번째 성장축은 기존 8인치 파운드리의 고부가 제품 전환이다. 현재 높은 가동률이 이어지는 가운데 자동차·산업용 전력반도체 비중을 확대하면서 단순 출하량 증가뿐 아니라 웨이퍼당 수익성 개선을 추진하고 있다. KB증권은 2026~2028년 DB하이텍의 매출 CAGR을 15%, 영업이익 CAGR을 28%로 전망하고 있다.

두 번째는 SiC·GaN 차세대 전력반도체다. 1200V SiC MOSFET 공정은 이미 검증을 완료했으며 650V GaN 공정은 2026년 12월까지 검증 완료를 목표로 하고 있다. 현재 전략 고객을 대상으로 제품 성능 평가가 진행되고 있으며 회사는 2027년부터 본격적인 양산에 들어갈 계획이다. 세 번째는 생산능력 확대다. 상우캠퍼스 클린룸 확장을 통해 월 생산능력을 기존 약 15만4천장에서 약 19만장까지 높이는 계획을 추진하고 있다. 신규 공간에서는 BCDMOS뿐 아니라 SiC와 GaN 등 차세대 전력반도체 생산도 가능하다.

4. 실적 구조 및 수익성 평가

2026년 실적에서는 가동률 상승+판가 인상+제품 믹스 개선이 동시에 나타나고 있다는 점이 중요하다. 2분기 영업이익률은 약 25% 수준까지 올라왔으며 AI 데이터센터와 로봇, 자동차·산업용 등 고부가 응용처 물량 확대가 실적 개선에 기여했다.

KB증권은 3분기에도 풀가동 기조가 이어지고 6월부터 반영되기 시작한 파운드리 가격 인상 효과가 온전히 반영되면서 매출 4,372억원, 영업이익 1,132억원을 기록할 것으로 전망했다.

컨센서스 기준 EPS 역시 2025년 5,783원에서 2026년 8,964원, 향후 12개월 9,704원으로 증가할 전망이다. EBITDA도 2025년 4,451억원에서 2026년 5,180억원, Forward 기준 6,200억원으로 증가할 것으로 예상된다. 따라서 최근 주가 상승에도 이익 증가를 반영한 Forward PER은 10배를 밑도는 수준이다.

5. 향후 주가에 영향을 줄 핵심 체크 포인트

가장 먼저 확인할 부분은 8인치 파운드리 풀가동이 얼마나 오래 지속되는가다. AI 데이터센터·로봇·자동차·산업용 전력반도체 수요가 이어지고 가격 인상 효과까지 유지된다면 2026년 하반기와 2027년 실적 추정치가 추가로 높아질 가능성이 있다.두 번째는 SiC·GaN의 실제 양산 전환이다. 기술 개발 자체보다 현재 평가 중인 전략 고객이 양산 고객으로 전환되는지가 중요하다. 1200V SiC 검증 완료에 이어 650V GaN 검증까지 예정대로 마무리되고 2027년 양산이 시작된다면 DB하이텍의 평가 기준이 기존 8인치 실리콘 파운드리에서 차세대 전력반도체 파운드리까지 확대될 수 있다.

세 번째는 주주환원이다. 회사는 향후 5년간 30%대 주주환원율 유지를 제시하고 있으며 2030년 PBR 2.25배를 기업가치 제고 목표로 설정했다. 현재 확인되는 증권사 컨센서스는 기관 수가 1곳으로 제한적이지만 목표주가는 17만원이다. 반면 8인치 파운드리 업황 둔화와 중국 업체의 공급 확대, 신규 CAPA에 따른 감가상각비 증가는 위험요인이다. 특히 SiC·GaN은 아직 본격적인 매출 기여 이전 단계이므로 고객 인증이나 양산 일정이 늦어질 가능성도 고려해야 한다. 결국 DB하이텍은 8인치 풀가동 → 고부가 BCD·전력반도체 확대 → SiC·GaN 양산 → 신규 CAPA 가동으로 이어지는 흐름이 핵심이다. 이 과정이 계획대로 진행된다면 기존 8인치 파운드리 업체에서 AI·자동차·산업용 차세대 전력반도체 파운드리 기업으로의 재평가 가능성이 있다고 판단된다.

본 자료는 투자 참고용으로 작성되었으며, 특정 종목에 대한 매수·매도 의견을 제시하는 것이 아닙니다. 투자에 따른 최종 판단과 책임은 투자자 본인에게 있습니다.