삼성전자가 10나노 6세대 D램(1c) 양산 확대에 힘을 싣는 가운데, 미국 마이크론도 대열에 본격 합류한다. 글로벌 메모리 제조사들의 잇단 6세대 D램 전환에 따라 경쟁이 한층 치열해질 전망이다.

6일 반도체업계에 따르면 마이크론은 최근 인도 구자라트주 사난드 소재 메모리 신공장에서 '1감마' 공정이 적용된 웨이퍼 양산에 돌입했다. 마이크론의 1감마는 10나노급 6세대로, 국내에서는 1c 공정으로도 불린다.

마이크론은 1감마 D램 양산과 더불어 차세대 HBM(고대역폭메모리) 패키징 수율 확보를 위한 테스트에 돌입할 것으로 파악된다. 해당 D램은 올 연말께 출시가 점쳐지는 HBM4E(7세대) 적층에 활용될 예정이다.

마이크론은 대만 타이중, 일본 히로시마 공장에서도 연내 1감마 D램 생산을 시작하고, 올 하반기 비트(bit) 용량 기준 총 D램 출하량 절반 이상을 6세대로 채운다는 목표도 내놓은 상태다.

6세대 D램은 앞서 삼성전자가 지난해 업계에서 처음으로 양산에 돌입한 상태다. 삼성전자의 경우 메모리제조사 중 유일하게 HBM4에 1c D램을 적용해 차별화를 꿰하고 있다. 최근 들어서는 1c 수율이 80% 안팎에 진입한 것으로 알려지면서, HBM 물량 확보에도 청신호가 켜졌다.

국내 또 다른 메모리 제조사 SK하이닉스도 1c 기반 D램 본격 양산을 위한 램프업(Ramp up) 준비에 한창인 것으로 파악된다. 마이크론과 마찬가지로 HBM4E부터 1c D램을 사용할 예정이다.

삼성전자, SK하이닉스, 마이크론의 6세대 D램 공정은 극자외선(EUV) 노광장비 사용에서 차이점이 있다. 마이크론은 EUV 장비 활용을 최소화해 양산속도를 높이는 방향으로 1c 공정을 개발했다. 이와 비교해 삼성전자와 SK하이닉스는 EUV를 적극 활용하는 것으로 알려졌다.

주요 메모리제조사들이 잇달아 6세대 D램으로 세대 전환에 나서면서, 시장 경쟁도 본격화될 전망이다. 차세대 D램인 만큼, 각 사의 6세대 D램 성능이 향후 HBM 경쟁력으로 이어질 것이란 분석이 나온다.

업계 한 관계자는 "같은 1c D램이라 하더라도 발열, 전송속도 등 각 제조사별로 성능이 차이가 있다"며 "향후 HBM 세대가 거듭될 수록 고성능의 메모리가 요구되는 만큼 각 사의 1c 성능이 HBM 우위를 가를 가늠자가 될 것"이라고 말했다.

설동협 머니투데이방송 MTN 기자